投影片 1 - 中州科技大學Chung Chou University of Science and Technology 清洗技術 半導體元件的製造上，清洗的目的是為了去除基板表面的各種污染。 製造製程中，污染的發生可分為兩種，一在晶圓的處理過程 ( 搬運及保管 ) 中發生，另一則在製程過程中發生。 如表歸納製程的種類，污染的種類，以及要以何種清洗去除 ...
Lextar 隆達電子 LED專有名詞 Package 封裝，將晶片，以塑膠、陶磁、金屬等材料被覆，以達保護晶粒避免受到外界污染及易於裝配應用，並達到晶片與電子系統間之電性連接、實體支撐及散熱之效果。 PAD metal layer Pad 是指金屬墊，就是指晶粒電極讓Package 打線的部份 ...
Dry Etch 各站製程原理 - NEW JEIN INDUSTRIAL CO, LTD Application on 5 PEP (BCE) •Consist of plasma 電漿其實是由諸多離子、電子、分子及原子團(radicals) 所組成且電性為中性的部分離子化氣體。全部分子、原子都解離成離子和電子的狀態稱為完全解 離電漿，而RIE/PE/ICP為弱解離；RIE/PE的解離率約0.01%而
Chap9 蝕刻(Etching) 乾式蝕刻的原理. ◇乾式蝕刻是以電漿，而非濕式的溶液，來進行薄膜蝕刻的. 一種技術。 ◇乾蝕刻的優點為非等向性蝕刻。 ◇乾蝕刻的非等向性主要是利用粒子轟擊的 ...
襯墊氧化層 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫. Major Concern: Rate ... 在 處理圖案化蝕刻時，電漿蝕刻逐漸取代濕式蝕刻. 濕式蝕刻. ▫. 化學溶液溶解晶圓 ... 濕式蝕刻的缺點. ▫. 等向性的蝕刻輪廓. ▫.
氮化銦鎵發光二極體製程簡介200905 光鋐科技股份有限公司 Epileds Technologies, Inc. EPILEDS - A professional LED chips company you can trust 發光二極體之基本原理 InGaN LED 晶粒製造流程 楊正中 蒸鍍區 黃光區 化學區 蒸鍍區 電子束蒸鍍法(METAL) 利用高能電子射束之動能轉為熔化待鍍材料 ...
賢昇科技有限公司 濕製程 Wet Equipment 乾式電漿蝕刻 / Multi Etching Machine / 垂直電鍍設備 Vertical Plating Equipment 顯影設備 Developing Machine 蝕刻設備 Etching Equipment FPC 溼製程設備 FPC Wet Equipment FPC溼製程設備 FPC Wet Equipment
5.6 微影技術(Lithography) II 乾式蝕刻是利用電漿，對底膜就是光阻，產生可進行蝕刻的活性種 。 ◇ 濕式蝕刻則是將晶圓浸入藥水中進行 ...
N-Slot 感應式耦合電漿源平面顯示器蝕刻製程開發 - 大同大學 本文內容在探討平面顯示器中高密度電漿源的蝕刻製程開發，其中深層的矽氧. 化層蝕刻以及多晶矽島尺寸 ...
半導體製程技術 - 國立聯合大學 測量在蝕刻製程中物質倍從晶圓移除的速率有多快. d = d. 0. - d. 1. (Å) 是厚度改變； t 是蝕刻 .... 數量恰當的化學蝕刻亦可踢除. ▫ 氧電漿灰化製程(Oxygen plasma ashing): 去除有機殘餘物.
