IC 製程簡介 a. 擴散→ oxidation, doping b. 薄膜→ CVD, PVD c. 微影 d. 蝕刻→ dry, wet etching e. 化學機械研磨CMP. 2. 製程整合簡介: - CMOS process flow簡介. 3. 製程規格 ...
奈米通訊。第六卷第一期 21.化學機械研磨後清洗技術簡介 第六卷第一期 化學機械研磨後清洗技術簡介 蔡明蒔 國家奈米元件實驗室 前言 自1997年開始，半導體製程邁進0.5微米元件線幅以下，幾乎所有半導體製造廠開始採用化學機械研磨技術(Chemical Mechanical Polishing, CMP)。
E-learning半導體領域 - 財團法人自強工業科學基金會 課程名稱 課程時數 試讀/預覽 03D307【線上課程】機電整合 1.5 03D119【精選77折】【線上課程】電池電源技術 1.5 03D073【線上課程】TSV and Other Enabling Technologies for 3D IC Integration- Part B Technology 2 03D072【線上課程】TSV and Other Enabling ...
E-learning（半導體-製程） - 財團法人自強工業科學基金會 課程名稱 課程時數 試讀/預覽 03D002【線上課程】Thin Film Technology and Application 2 03D003【線上課程】Plasma Etching 2 03D004【線上課程】先進半導體製程控制技術 3.5 03D014【精選77折】【線上課程】半導體製程、元件結構及可靠度整合課程
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 晶圓薄化 超薄晶圓薄化技術 - Semicondutor Magazine Manfred Reiche, Gerald Wagner 在眾多影響超薄封裝發展的趨勢中，一個重要的因素便為晶片的厚度。然而，減小晶片厚度伴隨而來的是晶圓直徑的增加，但晶圓直徑愈大厚度也必須增加以承受加工時的外力。在製程中晶圓厚度增加的需求以及相對薄晶片的優點 ...
CMP 現今化學機械研磨（CMP）製程已經廣泛使用於半導體業晶圓 ... 這項平坦化技術的原理就是利用類似“磨.
奈米通訊。第六卷第一期21.化學機械研磨後清洗技術簡介 CMP製程雖為先進半導體製程之關鍵技術，但在無塵室中卻屬高污染性之 ... 微塵吸附原理及清洗方法.
奈米通訊。第五卷第三期22.銅金屬化製程簡介 圖一是有機金屬分子之化學氣相沉積反應原理。在銅的有機金屬前驅 .... 銅本身易於氧化，所以非常適合做CMP製程，但是卻會有dishing的效應；另一方面post-CMP clean也是一個重要的問題。
研磨液特性於化學機械平坦化之探討 - 台灣科技大學機械工程系 化學機械平坦化(chemical mechanical planarization, CMP)為目前光電半導體. 製程 中達到全區平坦 ...
開放 - 台灣科技大學機械工程系 - 國立台灣科技大學 (Atomic Force Microscope, AFM)探討CMP 製程中磨料和工件間彼此. 相互作用力之情形，以了解在CMP ...
