感應耦合電漿離子蝕刻技術 (II) Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (II) 感應耦合電漿離子 蝕刻技術 (II) Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (II) 簡介 感應耦合電漿離子 ...
感應耦合電漿原子發射光譜儀（ICP-OES）購置規格 一、名稱： 感應耦合電漿 原子發射光譜儀壹套 二、用途：測定土壤與植物體樣品等無機元素分析 三、規格明細 ... 光儀，具有恆溫溫控系統。 ...
感應耦合電漿離子蝕刻技術(I) Inductively Coupled Plasma Reactive ... 2005年12月21日 ... 本中心的感應耦合電漿離子蝕刻製程技術，主要是利用電漿來進行蝕刻，具有較佳的 非等向性蝕刻。感應耦合電漿離子蝕刻(ICP) 為目前矽深蝕刻最 ...
感應耦合電漿離子蝕刻技術(II) Inductively Coupled Plasma Reactive ... 2005年12月21日 ... 感應耦合電漿離子蝕刻系統包含非等向性蝕刻、保護製程及等向性蝕刻，Dry SCREAM 製程技術利用上述特性，只需一道黃光製程及接續的ICP 製程 ...
感應耦合電漿離子矽蝕刻系統(ICP System) 建置在本中心之STS感應耦合電漿離子蝕刻系統，其硬體基本規格如下：上電極線圈 為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源，下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF ...
深次微米矽製程技術 - 第 490 頁 - Google 圖書結果 李文錦、郭肇傑(譯〕,半導體製程設備中潔淨技術之研討,電子月刊,六卷十二期,卯. 148 - 153 , 2000 。 4.杉山勇、知野秀一,半導體製造用超純水的最新動向,電子月刊, ...
感應耦合電漿離子矽蝕刻系統開放對外技術服務 - 國研院儀科中心 2007年7月5日 ... 本中心近年來極力發展類LIGA 製程技術，感應耦合電漿離子蝕刻系統的購置與建立 ，可對矽進行高的深寬比結構加工，並已初步完成軟硬體功能測試 ...
中原大學應用物理研究所碩士學位論文感應耦合式電漿蝕刻 ... 蝕刻。活性離子束蝕刻屬於傳統的乾蝕刻方法，電漿密度最低（約每. 立方公分10. 9 ... 電子迴旋共振蝕刻及感應耦合式電漿蝕刻即屬於高密度電漿系統，有. 較高的電漿 ...
本文件旨於介紹SAMCO ICP感應耦合電漿離子蝕刻系統之功能、規格、收費標準、設備負責 爐管室SAMCO ICP 感應耦合電漿離子矽蝕刻系統 之介紹。 3.0 權責 本辦法由實驗室負責人會同設備負責人訂定，經由中心主管核定後執行。修訂方式亦同上 述流程。 4.0 ...
感應耦合電漿反應性離子蝕刻於石英 玻璃加工的技術與應用 本研究主要探討石英玻璃之 蝕刻特性，使用 感應耦合電漿離子蝕刻 (inductively coupled plasma-reactive ion ...
