半導體製程及原理 半導體工業的製造方法是在矽半導體上製造電子元件 (產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密 ... (5)純水設備再生廢水：NaOH、HCl、H 2 O 2。 (6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。 2. IC構裝製造作業主要污染源為切割 ...
Chapter 9 蝕刻 - 義守大學 I-Shou University 17 蝕刻均勻性 ‧蝕刻均勻性是測量製程的重複性，包括晶圓 內(Within-wafer ,WIW) 及晶圓間(Wafer-to-wafer, WTW)的均勻性 • 測量晶圓上特定點在蝕刻製程前後的厚度 • 測量位置點愈多，準確度愈高 • 通常採用標準偏差(Standard deviation, σ)
[SST精選] 改善金屬閘極的功函數控制 - 《半導體科技．先進封裝與測試》雜誌 與一般所認知的相反，閘極與介電層之間的介面扮演了定義feff的主要角色。這在最近已藉由將與不同介電層(SiO2和HfO2)直接接觸的釕(ruthenium)金屬閘極，曝露在氧化／還原的環境中的研究而加以闡明[3]。 ...
奇異股份有限公司 說明 PBC 1646 防卡潤滑油膏是一種金黃色2號油脂針入度的潤滑油膏 本產品不含任何皂基油脂或矽利康。PBC 1646 是一種礦物油基以金屬含成覆合方程式並加入聚合物，抗腐蝕添加劑及柔軟的非鐵金屬粉末製造而成。
WET BENCH C10 SOP(961227) 3 National Nano Device Laboratories Create for the future 濕式清潔法概要 最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)，在1980 年代亦曾有以乾式清潔法取代濕式清潔法之論點，同時亦有一些相關的 嘗試性研究，然而時至今日仍未有完整之乾式清潔法 ...
化學清洗蝕刻區標準操作程序 當晶圓上受有機物污染時，會造成接觸電阻增加、閘極氧化膜之. 耐壓下降。 4.俱生氧化 .... 用DI Water(水槍供水或燒杯盛水) 清洗完畢後，廢水倒機台刷卡機旁之. Single hood 之排放 ...... 性，使其電阻值在25℃時可達18MΩ-cm。 在晶圓清洗完成後，將 ...
Etching 表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫ ... 在處理圖案化蝕刻時，電漿蝕刻逐漸取代濕式蝕刻. 濕式蝕刻. ▫ ... 濕式蝕刻的缺點. ▫. 等向性的蝕刻 ...
環保簡訊 4.2剩餘廢水當成混凝段用酸鹼劑的成效 1. 研究個案-A公司 A公司的原水pH 約為2.5，於綜合池內已加入氯化亞鐵，所以不用再另外加助凝劑。廢鹼的pH 值約為12，底部有「氧化銅」的沉澱物。 (1)1000ml原水，利用廢鹼調整pH，分別為pH 為5、6、7、8 及9 ...
Cleaning & Diffusion © Process Module: Diffusion P. 3 The material is for educational purpose only; please don’t forward to anyone not in this class.(請勿外傳; 若觸法,自行負責) 周圍的濕氣、去離子水清 洗、不當製程步驟(如過長 製程等待時間)。天生的氧化物
目前應用於LCD 製程array 段及半導體相關產業的蝕刻技術， 主要可分 ... 蝕刻則與乾式. 蝕刻優缺點互. 補，如何去運. 用需要製程控. 制上極大的智. 慧，以下 是針. 對TFT LCD 溼. 蝕刻製程及設.
