經安全檢測,此網站為安全網站,請放心前往原始網址!

化學清洗蝕刻區標準操作程序

當晶圓上受有機物污染時,會造成接觸電阻增加、閘極氧化膜之. 耐壓下降。 4.俱生氧化 .... 用DI Water(水槍供水或燒杯盛水) 清洗完畢後,廢水倒機台刷卡機旁之. Single hood 之排放 ...... 性,使其電阻值在25℃時可達18MΩ-cm。 在晶圓清洗完成後,將 ...

memo.cgu.edu.tw

網址安全性掃描由 google 提供