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複數電極的電容結構與製程知識摘要

(共計:18)
  • 專利情報:工研院告索尼愛立信侵權,獲300萬元賠償 - 國家實驗研究院
    2012年3月29日 ... 第I243388 號「複數電極之電容結構與製程」之發明專利權 公告號第564444號「電容 屏蔽結構」. 2010年7月 ...

  • 專利情報: 工研院告索尼愛立信侵權,獲300萬元賠償- 科技產業資訊室
    2012年3月29日 ... 第I243388 號「複數電極之電容結構與製程」之發明專利權公告號第564444號「電容 屏蔽結構」. 2010年7月 ...

  • 索愛侵害工研院「複數電極的電容結構與製程」專利判賠300萬元 ...
    索愛侵害工研院「複數電極的電容結構與製程」專利判賠300萬元判決主文指出,索尼 愛立信公司不得製造、販賣、為販賣的 ...

  • 【專利申請】瑞典商索尼愛立信行動通訊侵權工研院,判賠300萬元。 | 本 ...
    2012年3月6日 ... ... k800i」、「Sony Ericsson k770i」型號手機,或其他侵害工研院「複數電極的電容 結構與製程」專利物品。

  • 索愛侵權工研院判賠300萬元- Yahoo奇摩新聞
    2012年3月6日 ... ... k800i」、「Sony Ericsson k770i」型號手機,或其他侵害工研院「複數電極的電容 結構與製程」專利物品。

  • 一種懸浮結構之微型可變電容及其製程方法 - NCHUIR - 國立中興大學
    2012年10月26日 ... ... 一種懸浮結構之微型可變電容及其後製程方法,其結構係為一晶片基板,該晶片基板 上有一上電極板、複數 ...

  • 一種懸浮結構之微型可變電容及其製程方法 - NCHUIR - 國立中興大學
    2012年10月26日 ... ... 一種懸浮結構之微型可變電容及其後製程方法,其結構係為一晶片基板,該晶片基板 上有一上電極板、複數 ...

  • 複數電極之電容結構與製程 - DirectoryPatent.com
    2005年11月11日 ... 複數電極之電容結構與製程Taiwan Patent 093101289. Title: Structure and method for a multi-electrode ...

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