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rf電漿自我偏壓知識摘要

(共計:20)
  • Chapter 7 電漿的基礎原理 - 義守大學 I-Shou University
    電漿的基礎原理 2 目標 • 列出至少三種用到電漿的半導體製程 • 列出電漿中的主要三種碰撞 • 說明平均自由路徑 • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程 • 列出兩 ...

  • 無標題文件
    原子層化學氣相沉積 (Atomic Layer Chemical Vapor Deposition, ALCVD) 顧名思義,原子層化學氣相沉積 (ALCVD ) 是一種逐層沉積原子層級 厚度的薄膜沉積技術,ALCVD 利用氣體前驅物在基材表面進行選擇性化 學吸附反應時, 在達到單一飽和吸附層狀態後,即 ...

  • www.innovator.com.tw
    表面工程以技術原理區分可分類如下: 1. 機械方法 研磨, 拋光,布磨 噴砂-砂粒噴砂 壓接 機械式鍍鋅 珠擊 ... 直流電濺鍍-應用於導電基材與鍍層 b) 交流(或射頻)電濺鍍-應用於導電或非導電基材與鍍層 3) 濺鍍系統組合

  • 奈米通訊。第五卷第三期 14.深次微米閘極技術之發展與未來驅勢(II)
    第五卷第三期 深次微米閘極技術之發展與未來驅勢(II) 林鴻志 國家奈米實驗室 副研究員 在上期通訊中提到閘極的寄生電阻會隨元件縮小而上升,目前生產線一般採polycide 或salicide結構來解決此問題,近日也開始有人探討金屬閘極的可行性,在本期的文 ...

  • 國立清華大學材料工程學系 - 07/28/2014 08:15:58 pm +0800 - Open WebMail
    類別 專任師資 職稱 教授 授課領域-材料科學導論-結晶繞射概論-表面分析技術特論-電磁學 研究專長-有機電晶體元件及應用-奈米鑽石電子元件及應用-電漿薄膜製程及應用-表面分析 ...

  • PE - 財團法人光電科技工業協進會
    成,本篇報導主要分為四個部分,. 基於電漿對乾蝕刻製程之重要性,. 首先對電漿作 基礎介紹,後續再針. 對乾蝕刻原理,蝕刻機台,乾蝕刻. 化學及製程控制作詳細介紹  ...

  • Chapter 7 電漿的基礎原理
    8. 平行板電極(電容耦合型). 電漿系統. 電漿. 射頻功率. 暗區或. 鞘層. 電極. 到真空幫 浦 .... 38. 電漿電位和直流偏壓. 時間. Volt. 射頻電位. 電漿電位. 直流偏壓 ...

  • 電漿源原理與應用之介紹
    目前產生電漿的方法以使用的功率源而言有直流放電(DC discharge),低頻及中頻 放電(數KHz到數MHz),射頻放電(13.6MHz),及微波放電(2.45GHz)。現行電漿製程多  ...

  • Chapter 8 離子佈植 - 義守大學 I-Shou University
    12 離子佈植與擴散的比較 擴散 離子佈植 高溫,硬遮蔽層 低溫,光阻當遮蔭層 等向性輪廓 非等向性輪廓 不能獨立控制掺雜物濃度及接面深度 可獨立控制掺雜物濃度及接面深度

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