半導體 - 維基百科，自由的百科全書 在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-in electric field），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。 除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。
熵 - 維基百科，自由的百科全書 熵的概念是由德國 物理學家克勞修斯於1865年所提出。克氏定義一個熱力學系統中熵的增減：在一個可逆性程序裡，被用在恆溫的熱的總數（δQ），並可以公式表示 ...
半導體雷射導論 - 中州科技大學Chung Chou University of Science and Technology ... 在計算電子濃度n時，宜使用Joyce-Dixon近似或Fermi-Dirac積分式方能得到較精確的結果。 2.4 準費米能階 圖2-29是載子在熱平衡和在非熱平衡高注入的狀況下分佈的情形。 圖2-30是電子電洞對在光激發下產生之後，迅速地和晶格原子碰撞損失能量之
直接能隙 類氫原子的能階分離成1s， 2s2p，3s3p3d等，而細部的能階分離需要用到更複雜 .... 準費米能階的示意圖如圖2-31，可知在熱平衡的條件之下圖2-31中只有一條費米能 ...
與異質接面 同質接面是指二個相同的材料，其能隙大小相同，但摻雜的雜質不同，一為n型 ... 平衡狀態下一水平的費米能階因受到外加電壓V 的影響現可用二準費米能階來表示。
半導體物理-10004載子的傳輸特性 - 國立聯合大學 平衡時各處費米能階之均等性 ..... 半導體電流都和準費米能階Fn、Fp 的梯度成正比. ○ 半導體內沒有電流流動時意謂著準費米能階為一常. 數. ○ 電子也會由高準費米 ...
物理學名詞.xls (中英對照) - ::::: 歡迎光臨東吳大學 ::::: Sheet3 Sheet2 Sheet1 (一)分接；(二)分接頭 等時[降落]曲線 泰勒-庫埃特流 遠心光闌 遠心系統 電信方程[式] 遠震 (地科) TEM (=transmission electron microscope) (一)回火度；(二)含碳量 (一)韌性；(二)韌度
第二章 電晶體與佈局（layout） - 研究領域 - 國立清華大學資訊工程學系 NTHU Department of Computer Science 警告：版權所有，請勿隨意翻版使用。 原文與圖片請參照： Modern VLSI Design, Wenny Woof. 第二章 電晶體與佈局（layout） 2.1 簡介 我們在這一章將藉由學習電晶體和佈線的結構以及它們如何被製造的基礎知識，來開始學習 VLSI設計。
高瞻自然科學教學資源平台 歐傑電子能譜儀（Auger electron spectroscopy，AES ） 國立臺灣師範大學物理系李聖尉碩士生/國立臺灣師範大學物理系蔡志申教授責任編輯 歐傑電子（Auger electron）的產生現象，最先是由法國人Pierr Auger於1924年所發現，故以歐傑電子為名。
