半導體 - 維基百科，自由的百科全書 在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-in electric field），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。 除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。
認識半導體雷射> 2.雷射二極體的工作原理. 2.1 雷射作用. 雷射㆓極體產生的光輻射可分成兩種，即 自發輻射（spontaneous emission）.
Quasi-fermi levels ... ，如偏壓或照光所產生的過量載子，此時電子與電洞必須採用虛擬的能階EFn和EFp，此即準費米能階(Quasi-fermi level)。 References ELEG620: Solar Electric Systems University of Delaware, ...
半导体- 维基百科，自由的百科全书 在絕對零度時，材料內電子的最高能量即為費米能階，當溫度高於絕對零度時，費米 能 .... 圖中也有費米能階，半導體的本征費米能階（Intrinsic Fermi level）通常以 E_i ...
少數載子 - 國立聯合大學 定義載子移動率為與其漂移速度成正比 .... 高程度注入(High Level injection)狀況 ..... 能階(Quasi-Fermi levels) 之來源. 及定義。 ○ 穩態時，準費米能階Fn 和Fp的角.
費米能 - 維基百科，自由的百科全書 在固體物理學中，一個由無交互作用的費米子組成的系統的費米能（）表示在該系統中加入一個粒子引起的基態能量的最小可能增量。費米能亦可等價定義為在絕對零度時，處於基態的費米子系統的化學勢，或上述系統中處於基態的單個費米子的最高能量 ...
半導體雷射導論 - 中州科技大學Chung Chou University of Science and Technology ... 在計算電子濃度n時，宜使用Joyce-Dixon近似或Fermi-Dirac積分式方能得到較精確的結果。 2.4 準費米能階 圖2-29是載子在熱平衡和在非熱平衡高注入的狀況下分佈的情形。 圖2-30是電子電洞對在光激發下產生之後，迅速地和晶格原子碰撞損失能量之
半導體雷射導論 - 中州科技大學Chung Chou University of Science and Technology ... 上升，在靠近接面處，原本平衡狀態下一水平的費米能階因受到外加電壓V 的影響現可用二準費米能階來表示。 而其間的能量差異為eV，如圖3-5(b)所示，這使得在靠近接面處的內建電場變小為V0-V，同時也使得空乏區的寬度變窄。
與異質接面 同質接面是指二個相同的材料，其能隙大小相同，但摻雜的雜質不同，一為n型 ... 平衡狀態下一水平的費米能階因受到外加電壓V 的影響現可用二準費米能階來表示。
半導體物理-10004載子的傳輸特性 - 國立聯合大學 平衡時各處費米能階之均等性 ..... 半導體電流都和準費米能階Fn、Fp 的梯度成正比. ○ 半導體內沒有電流流動時意謂著準費米能階為一常. 數. ○ 電子也會由高準費米 ...
