奈米通訊。第七卷第二期 1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志 家奈米元件實驗室 研究員 極電極(Gate Electrode) (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極 目前先進的250和180奈米CMOS電路技術，多以雙多晶(dual-poly)閘極取代傳統的單多晶(single-poly)閘極方式，主要是為了PMOS元件短通道 ...
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奈米金氧半电晶体 - 豆丁网 - docin.com豆丁网-分享文档 发现价值 1 Chapter 2 奈米金氧半電晶體 2.1 簡介 英特爾(Intel)宣布將應變矽 技術加入其90 奈米技術節點(90 nm technology ...
奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢 - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I). 林鴻志. 國家奈米元件實驗室研究員. 前言. 日進千里的積體電路技術造就電腦，通訊與網路業的蓬勃發展，而其進步的原動力， ...
奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢 - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II). 林鴻志. 家奈米元件實驗室研究員. 極電極(Gate Electrode). (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極. 目前先進的250和180奈米CMOS ...
奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(III) - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(III). 林鴻志國家奈米元件實驗室研究員. 基板工程(Substrate Engineering). 在此所謂的基板工程，是指對矽基板的通道中及其 ...
奈米通訊 - 國家奈米元件實驗室 - 國家實驗研究院 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I), 林鴻志 ... 會計：余郁娟 執行編輯：余郁娟 美術編輯：余郁娟 出版者：國家亳微米元件實驗室出版委員會 登記證：行政院新聞局 ...
奈米通訊。第七卷第一期 - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I), 林鴻志. 13. 電鍍銅製程之廢液處理, 吳世全. 18. 金屬雜質於DUV光阻中擴散及吸附行為之研究(II), 楊金成、林富祥、王美雅、 ...
奈米通訊。第七卷第三期 1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(III) 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(III) 林鴻志 國家奈米元件實驗室 研究員 基板工程(Substrate Engineering) 在此所謂的基板工程，是指對矽基板的 通道中及其附近之摻雜物濃度分佈的設計。 摻雜物之加入可藉由植入或磊晶摻雜程序達 成。
成功大學電子學位論文服務 在 奈米金氧半元件淺溝槽隔離(STI)製造中, 高密度電漿化學沉積(HDP CVD)方式成功地提供了有效的解決方案。 ... [10] 林鴻志, “ ...
