奈米金應用 | HOT情報一站通 第七卷第二期 1. 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志 家 ...
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奈米通訊。第七卷第三期 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(III) 林鴻志 5. 高溫濺鍍法生成鈷矽化物之研究 吳文發、黃新員、陳力俊 9 ... ...
Title page for 93323001 ... 互補式 金氧半(CMOS)之材料、製程與 元件特性分析(I)” 奈米通訊第十二卷第一期 (2005) 44。[7]林鴻志, “ ...
深次微米閘極技術之發展與未來趨勢 - 國家奈米元件實驗室 互補式金氧半(CMOS)製程是最重要的半導體積體電路技術，舉凡記憶體及邏輯等多樣化的產品皆以此 ... MOS電晶體初期的發展是以金屬（如鋁）做為閘極材質，這 ..... 通訊IC產品[34]，美國、加拿大、及日本也有公司躍躍欲試[35]，顯見未來發展之潛力。
奈米通訊。第七卷第二期 - 國家奈米元件實驗室 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II), 林鴻志. 10. 深紫外線光阻曝光後烘烤 ... 低介電常數材料機械性質之研究, 劉繼文、賴明志、戴寶通. 22. 氟化非晶相碳膜製程 ...
CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究__國立 ... 本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench ... [6] 林鴻志, "奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(I)", 奈米通訊第七卷第一期 ...
奈米通訊。第七卷第二期1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢 2014年6月17日 - 奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志家奈米元件實驗室研究員極電極(Gate Electrode) (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極目前先進的250和180 ...
奈米通訊。第七卷第二期1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅 ... 電晶體消耗功率-奈米通訊。第七卷第二期1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II)奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志家奈米元件實驗室研究員極 ...
