TCP 9400SE 多晶矽乾蝕刻機標準製程

Recipe 使用說明 本機台採multi-step（Break Through, Main Etch, Over Etch） BT：10 秒可蝕刻350-400A ME：2000~2300A/min, Selectivity to oxide: 9:1 OE：1400~1500A/min, Selectivity to oxide: 47:1 標準製程 602：BT 10sec + ME (endpoint mode) + OE 20sec

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