SiC/Si 的製作 碳化矽 / 矽結構生長最主要生長方法為化學氣相沈積 (C hemial Vapor Deposition,CVD) 為主,但開發出來的大都為 非晶、多晶 α-SiC 薄膜或者 3C-SiC 薄膜為主;另有分子束磊晶 ...
www.nanoclub.tw