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若連動量一起考慮則如右圖顯示Si為間接(能階)半導體;即其導帶最低處與價帶最高處並不在同一動量,所以其電子電洞 結合會有一動量差 因動量守恆(mementum convervation law)所以Si走路徑"1"的機率會遠少GaAs(右圖,為直接能階)

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