[CS精選]TDI破解氮化鋁模板(AlN template)缺點 - 《化合物半導體·光電技術》雜誌

Vladimir Dmitriev, Alexander Usikov , TDI 由於TDI開發的新沉積製程，現今氮化鎵(GaN)高電子移動率電晶體(High Electron Mob

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