高等化學 半導體製程技術(II)

11 半導體製程 氧化與薄膜沉積 原料晶圓在投入製程前，本身表面塗有2μm厚的 Al 2 O 3與甘油混合溶液保護之，晶圓的表面及角 落的污損區域則藉化學蝕刻去除 為製成不同的元件及積體電路，在晶片上長不同

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