在本論文中,係以感應式耦合電漿化學氣相沉積系統成長氮化矽. 薄膜。研究工作 可以分為兩個部分,首先探討沉積參數,包括ICP 功. 率、Bias 功率、 ... 利用即時沉積 即時處理的方法來改善薄膜品質,期望能成長出含氫量. 低的氮化矽膜。 ..... 或是以電 漿輔助. 化學氣相沉積(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)的.
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