3-1 LTPS 技術原理 LTPS (Low Temperature Poly-Silicon ) 是一種以矽為基底,由許多約為 0.3 至數個 um 大小的矽晶粒所組合而成的材料。在半導體製造產業中,多晶矽通常需要以高於 900 C 的溫度退火形成,此方法即為 SPC (Solid Phase Crystallization) 。
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