磁阻式隨機存取記憶體 - 維基百科，自由的百科全書

磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM），是一種非揮發性記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為，這個技術速度接近SRAM，具有快閃記憶體的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，平均能耗遠低於DRAM，成為 ...

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