浮閘記憶體從發明到數位電子時代 - 國家奈米元件實驗室

的字元線與位元線連接，而NAND Flash 記憶單元，則是. 在小區塊內 .... 其中一小部份（約2% 左右）是使用與浮閘相同儲存原理之浮能陷（Floating Trap），見第7 節。

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