材料世界網:32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手-材料技術的新突破

在2007 Symposium on VLSI Technology有關高介電常數絕緣膜/金屬閘極(high-k/metal gate)議程的會場上，Intel和IBM公司以「電晶體歷史中最大的技術革新」為口號，各自發表45nm時代的實用化技術，即所謂的high-k

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