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1999年10月12日 - 曝光原理及製程. 365nm G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm 光阻聚合 製程 光阻(乾膜/濕膜)→曝光聚合(UV)→顯像(碳酸鈉) GHI?

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