應用於金屬閘極整合的原子層沉積 - 半導體科技

然而，於選擇合適的金屬閘極時，有效功函數(effective work function)的控制為最重要 ... 閘極NMOS金屬堆疊，採用薄TiN層與Ti/Al混合物以設定正確的有效功函數[9] 。

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