大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解 - 學技術 - 新電子科技雜誌

大尺寸矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板發展露曙光。工研院利用氮化鋁(AIN)緩衝層薄膜材料，以及氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵超晶格(Superlattices)低缺陷密度緩衝層技術，已成功製作出高品質且表面無破裂的矽基氮化鎵磊晶圓，讓該技術可望

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