在奈米科技上準確地模擬微負載效應下連線電容 - 國立清華大學

在乾蝕刻(Dry etch) 製程過程中，因為蝕刻速率的不同有了微負載效應，以前為了解決此效應使用了高介電常數(High-K) 的介電層，被稱為蝕刻禁止層。但因為製程 ...

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