可變電阻式記憶體 - 維基百科，自由的百科全書

可變電阻式記憶體 （ 英語 ： Resistive random-access memory ，縮寫為 RRAM 或 ReRAM ），是一種新型的 非揮發性記憶體 。類似的技術還有 CBRAM 與 相變化記憶體 ，目前許多公司都正在發展這種技術。 ReRAM的優點在於消耗電力較低，且寫入資訊速度比 NAND 快閃 ...

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