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半導體製程技術

蝕刻均勻性 蝕刻均勻性是測量在好的晶圓內(WIW) 和晶圓對晶圓 (WTW)高重複性製程的測 對不同點在蝕刻前後進行厚度的測量 越多的測量點,精密度越高 標準差的定義與一般使用的相同 不同的定義有不同的結果

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