APCVD臭氧—四乙氧基矽烷(O3-TEOS)的氧化物製程被 廣泛的使用在半導體工業上,尤其是在STI 和PMD 的應 用 ... 本質應力是在薄膜成核與成長製程 期間產生的 異質應力則是因為薄膜與基片間的熱膨脹係數不同而 造成的 ...
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