半導體科技新聞 - 旺宏3D NAND Flash創新研究獲VLSI評選為2010年重要焦點論文 - Semicondutor News, Science and Technology

旺宏電子表示,利用旺宏自行研發的BE-SONOS (barrier engineering) charge-trapping技術,搭配三維垂直閘極 (3D vertical gate) 記憶體單元結構,將可提供3D NAND Flash在尺寸微縮及效能提昇方面最佳的解決方案。由於研究成果具有重要突破,因此獲得VLSI大會評選為 ...

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