於1978年被提出來做為CMOS製作技術的材料以來,絕緣層覆矽(SOI) 提供了操作快速、低功率消耗、減少軟錯誤、閉鎖抑制(latch-up immunity)、製程簡化以及尺寸微小化改善等潛力優勢。雖然早先是將SOI材料著眼於小規模的利基(niche)市場上,然而成為主流應用的 ...
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