半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 目標針對45奈米具有改善之 氮氧化矽薄膜與延伸之閘極介電層- Semicondutor Magazine

Kevin Cunningham, Khaled Ahmed, Chris Olsen, Steve Hung, Schubert Chu, Faran Nouri, Applied Materials, Santa Clara, California 氮氧化矽(SiON)閘極堆疊(gate-stack)介電層(dielectrics)在使用於65奈米以下的技術時已經快達到其極限了。雖然利用高介電

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