半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 次45奈米以下的一種低溫LPCVD氮化矽製程 - Semicondutor Magazine

E. Chiu, A. Kolessov, K. Mohamed, J. Su, Aviza Technology Inc., Scotts Valley, California, United States 現在，使用DCS和氨氣所形成的氮化物薄膜已經能達到更低的溫度限制的界限，那是在大約攝氏630度。在溫度低於攝氏630度時，低

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