半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 單晶圓濕式選擇性蝕刻在28奈米的NiPt自對準矽化物應用上效益顯著 ...

3>簡介 3>整合在 28 奈米節點上的多樣化 CMOS 製程，不僅增加製程的複雜性，相對也提高製造成本。最主要的原因在於新材料的推出，例如高介電常數材料及金屬閘極。在某種程度上，現有的製程及材料可以延伸至 28 奈米製程，限制因為多樣性而對成本所 ...

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