中央處理器(CPU)的記憶體使用量極高,且占據CPU近三分之二的面積,經常成為效能、良率與測試的技術瓶頸;因此,若能利用矽穿孔(TSV)技術,將CPU與記憶體進行堆疊,將可打造晶片間傳輸速度更快、雜訊更小且效能更佳的新一代三維晶片(3D IC)。
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