光電化學蝕刻是一種利用光輔助的濕蝕刻方式,具有低蝕刻缺陷和高蝕刻速率的特性,而廣泛應用在純態和N型氮化鎵蝕刻上。然而,傳統光電化學蝕刻所發生的側向蝕刻深度分佈的問題,透過以過硫酸鉀作為氧化劑來取代光電化學蝕刻中的電極所發展 ...
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