Ni掺雜ITO陽極與OLED結構 本專利是一種利用鎳摻雜銦錫氧化物(ITO)陽極提高有機發光二極體(OLED)注入 效率的結構及其方法,該方法以濺鍍的方式,使ITO基板之陽極表面形成有Ni摻雜在 上;藉此,ITO陽極之表面功函數可提高,致可大幅降低ITO陽極與電洞 ...
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