冲成股份有限公司 - 半導體 -- ISIS ( SemDex 301 )

適用於 bumped wafer, multifoils wafer in packaging, photoresist layer, Tape MEMS, SOI Wafer, GaAS, Glass, Ceramics, TSV等 可同時顯示多層不同材料厚度(最多8層) 量測光點直徑最小(min. 20 μm) 單一機台同時適用多種不同晶片尺寸( 2" ~ 12" )

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