以高密度電漿化學氣相沈積系統製程非晶相氫化碳化矽膜之研究

製程非晶相氫化碳化矽(a–SiC:H) 薄膜，藉. 著電漿功率及基板溫度的改變，來探討 薄膜. 的沈積特性。以傅氏轉換紅外線光譜儀來鑑. 定鍵結結構。X P S偵測光譜可 ...

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