本論文旨在探討以電漿輔助化學氣相沈積系統(PECVD)進行非晶形矽氫(a-Si:H)薄膜 沈積於Si及SiO2兩種基板上,其薄膜結構及電性隨基板溫度變化(30-360℃)的 ...
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