下代記憶體問世有望？南韓新技術破解ReRAM研發難題_新聞_鉅亨網

被視為下一代非揮發性記憶體的「可變電阻式記憶體」(Resistive Random Access Memory、ReRAM)發展出現突破，韓國研究人員利用單層石墨烯(graphene)電極，研發出電阻轉換測量科技，或許有望解決ReRAM量產的最大障礙。 南韓媒體ETNews報導

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