三星DRAM技術正式邁向50奈米 - 提供和分析最新產業資訊與科技趨勢- 電子工程專輯 .

三星電子(Samsung)開發出一款基於三維電晶體設計和多層介質技術的50奈米1G DDR2 DRAM晶片。這種晶片採用了選擇性磊晶生長電晶體(selective epitaxial growth transistor，SEG Tr)，可產生一種更寬的電子通道，因而加速電子流動。這種技術可

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