三星40nm記憶體通過Intel認證 為DDR4鋪路-三星,DDR4,40nm DRAM,40nm記憶體-驅動之家

三星今天宣佈，其第一款40nm DRAM記憶體晶片已經完成並通過認證，並暗示這是邁向下代DDR4記憶體的關鍵裡程碑。 三星稱，這種40nm 1Gb DDR2記憶體晶片構成的1GB DDR2-800 SO-DIMM記憶體條已經通過Intel GM45平台的認證，相比於當前的50nm產品能

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