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霍爾效應公式知識摘要

(共計:20)
  • 半導體專題實驗 - Advanced Silicon Device and Process Laboratory - 18229SOLAR
    實驗二 Van Der Pauw 量測與 霍爾 效應 (一)目的 利用 Van Der Pauw 四點探針法和 霍爾效應, 量測半導體中多數載子濃度與遷移率 ...

  • Hall effect - Wikipedia, the free encyclopedia
    3.3.1 Ferrite toroid Hall effect current transducer; 3.3.2 Split ring clamp-on sensor; 3.3.3 Analog multiplication; 3.3.4 Power measurement; 3.3.5 Position and ...

  • 下載
    實驗 霍爾效應. 一、目的. 量測一磁棒在一固定距離所建立之磁場及決定半導體材料 之載體型式及濃度。 二、原理. 一主要載體為電洞之P型半導體,通以向+X方向之 ...

  • 霍尔效应_互动百科
    后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多, 利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息 处理 ...

  • 霍爾效應_百度百科
    霍爾效應是電磁效應的一種,這一現象是美國物理學家霍爾(A.H.Hall,1855—1938)於1879年在研究金屬的導電機制時發現的。當電流垂直於外磁場通過導體時 ...

  • 分數量子霍爾效應是啥? - Yahoo!奇摩知識+
    霍爾效應公式, 霍爾效應量測, 霍爾效應 p 型半導體 霍爾效應, 分數量子 霍爾效應, 霍爾, 勞倫斯, 磁通量, Fractional ...

  • 異常霍爾效應的新發展 - 台灣磁性技術協會
    ρH)可以用下面的 公式來描述: ρH = R0B+ρ'H , ρ'H ≡Rsµ0M (1) ,其中B 為磁場強度、' ρH 為異常霍爾電阻 ... ...

  • 霍爾效應 - 维基百科
    霍爾效應(Hall effect)是指當固體導體有電流通過,且放置在一個磁場內,導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊,繼而產生電壓。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。 除导体外,半导体也能产生 ...

  • 下載
    2013年8月7日 ... 霍爾探針在磁場BZ中因霍爾效應而產生霍爾電壓VH,測出霍爾電壓後,根據霍爾 電壓公式和已知的霍爾 ...

  • 異常霍爾效應的新發展 - 台灣磁性技術協會
    性增加,因此被稱為異常霍爾效應。從許多. 的實驗結果發現霍爾電阻率(Hall resistivity,. H ρ )可以用下面的公式來描述:.

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