功函數 - 維基百科，自由的百科全書 能夠證明如果我們定義功函數 為把電子從固體中立即移出到一點所需的最小能量，但是表面電荷分布的效應能夠忽略，僅僅留下表面偶極子分布。如果定義帶來表面兩端勢能差的有效表面偶極子為 ...
功函數差（Work function difference ） 定義為功函數差 ms 以p+複晶矽（假設EF=Ev）為閘極： p型基板的功函數差 以n+複晶矽（假設EF=Ec ）為閘極，p型基板： n型基板的功函數差 功函數差 ms（續） 即 ms 即半導體層內無電荷存在 平衡狀態 Vox 平帶狀態 平帶狀態下，假設 氧化 ...
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 整合雙功函數金屬閘極CMOS - Semicondutor Magazine ... 層區域產生重疊和內混效應，以影響閘極功函數和介電層等效氧化層厚度(EOT)。最後，儘管金屬功函數強烈地受高介電層組成所影響，這傳統方法於nMOS和pMOS ...
功函數差 - 機械工程師 *用Fowler-Nordheim公式測定ITO功函數的研究 Study of Work Functi.. 【簡介】通過製備雙邊註入型單載流子器件ITO/TPD(NPB)/Cu,運用Fowler-Nordheim(F-N)公式變換,消除了載流子有效質量和器件厚度因素的影響,提高了測量的精度,簡單準確地測定了ITO的功 ...
[SST精選] 改善金屬閘極的功函數控制- 《半導體科技．先進封裝與 ... 而實現金屬閘極的一個關鍵挑戰，是如何選擇具有合適功函數(workfunction)的金屬。如何做出正確的選擇是 ...
功函数- 维基百科，自由的百科全书 功函数（又称功函、逸出功，英语：Work function）是指要使一粒电子立即从固体表面 中逸出，所必须提供的最小能量（通常以 ...
低功函數的金屬容易與氧結合的原因- Yahoo!奇摩知識+ 功函數（又稱功函、逸出功，英語：Work function）是指要使一粒電子立即從固體表面 中逸出，所必須提供的 ...
功函數_百科 Si 4.85 Sm 2.7 Sn 4.42 Sr 2.59 Ta 4.25 Tb 3 Te 4.95 Th 3.4 Ti 4.33 Tl 3.84 U 3.63 V 4.3 W 4.55 Y 3.1 Zn 4.33 效應 金屬的功函數W與它的費米能級密切相關但兩者並不相等 這是因為真實世界中的固體具有錶面效應 真實世界的固體並不是電子和離子的無限延伸 ...
奈米通訊。第七卷第二期 1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) ... ，則可藉由金屬部份的功函數、poly-Si的摻雜濃度與厚度等參數來調整Vth。如此不但擁有金屬閘極低阻值的優點，而且有助於解決金屬閘極應用上閘極/介電層界面控制與調整Vth的困擾(見下面的討論) ...
成大研發快訊 - 文摘 - 國立成功大學國際會議暨專案用伺服器 Fig. 1 The V FB of WN 1.5 /SiO 2 /Si structure as the function of SiO 2 thickness is plotted. A measurement of V ... 然而，若改變其氮添加量，則可藉此縮小其晶粒尺寸並降低功函數。故功函數與氮含量並非呈現簡單的正向或反向關係，而是與成相及晶粒尺寸均 ...
