金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書 金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ； 英語 ： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， 縮寫 ： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...
MOSFET體內寄生電容-電源技術 - 21ic電子技術論壇 Ciss Coss Crss與 Cgs Cds Cds這三者的關係為何？糊塗了。如果用在諧振電路裡面，那個電容值是關鍵 MOSFET體內寄生電容
準諧振反激式電源設計之探討 - 自动化在线网-我们只专注于技术 MOSFET包含若幹個 寄生電容，主要從器件的物理結構產生。它們可以數學方式簡化為 MOSFET輸入 電容CISS，和 ...
VISHAY SILICONIX 功率 MOSFET 基礎：瞭解 MOSFET 與 品質因數有關的特性 www.vishay.com Document Number: 71946 2 Revision: 08-Sep-03 ...
MOSFET與MOSFET驅動電路原理及應用 在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個 寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載(如馬達)，這個二極體很重要。 ... ...
（轉貼）MOS 驅動 IC 原理簡述及設計注意點 - 痞酷網_PIGOO - Powered by Discuz! 第一， MOSFET具備一定的驅動能力，因為由於工藝原因， MOSFET的GS間存在是 寄生電容。對 電容充電（開啟 MOSFET ...
討論區 - 綜合應用 - Power MOSFET driver - Microchip Taiwan 一直以來的觀念都認為 MOSFET有極大的輸入阻抗，為何會因為Qg導致Ig達到數安培，有看過AN786 ... Power Driver (IGBT, Power MOS..) 等雖然都有 ...
CTIMES- 準諧振反馳式電源設計探討 :MOSFET,電路板 要理解這種設計的拓撲結構，必須瞭解 MOSFET和變壓器的 寄生特性。 MOSFET包含若干個 寄生電容 ...
（轉貼）MOSFET驅動注意事項 - 電子電路 - 痞酷網_PIGOO - 因為 MOSFET的柵-源極之間存在 寄生電容， MOSFET的開和關過程，是對 電容的充放電過程，如果 MOSFET ...
矽控制整流器（SCR） - PEAL 時 Q 1 導通，截止 POWER MOSFET 時，Q 2 導 通，POWER MO SFET 的閘源極間存在一個 寄生電容，驅動 POWER ...
