電晶體－電晶體邏輯 - 維基百科，自由的百科全書 TTL各系列典型消耗功率 與傳輸延遲的比較 [編輯] 系列 型號 特徴 消耗電力(mW/Gate) 傳輸延遅 t pd (nsec ... 但消耗電力大。 20 6 蕭特基TTL 74S 使用蕭特基二極體與蕭特基電晶體的高速TTL 20 3 低功率蕭特基TTL 74LS 1970年代後半至80年代前半的主流TTL 2 ...
物理學名詞.xls (中英對照) - ::::: 歡迎光臨東吳大學 ::::: Sheet3 Sheet2 Sheet1 (一)分接；(二)分接頭 等時[降落]曲線 泰勒-庫埃特流 遠心光闌 遠心系統 電信方程[式] 遠震 (地科) TEM (=transmission electron microscope) (一)回火度；(二)含碳量 (一)韌性；(二)韌度
白安鵬--半導體積體電路測試技術部落格: A 半導體積體電路測試概論 第八章 電路特性分析 由二元搜尋結果計算交流參數 當我們用二元搜尋法，來計算交流參數時，我們通常需要一個公式來加以計算。二元搜尋法，會移動訊號的邊緣(Signal Edge)。移動的過程中，不會去在意訊號的邊緣，是否仍維持相對於參考訊號的位置。
FIB Man HomePage - PEM介紹 熱載子能量釋放(Relaxation accompanied with light emission) 說明: 一可移動載子(mobile charge carriers,可為電子或電洞)經過電場加速取得足夠的動能(kinetic,熱載子), 利用光將其累積的動能釋放 此為PEM測得的主要光來源
閎康科技股份有限公司 > EMMI - Materials Analysis Technology Inc. 電性量測,Electrical Measurement,故障分析,失效分析,Failure Analysis,FA,Fault Isolation,Root cause identification,電性故障分析,Electrical Failure Analysis,EFA, I-V, I-V Measurement ,Emission Microscope ,EMMI,InGaAs Camera,InGaAs Detector ,InGaAs,Optical ...
多模光纖與單模光纖、相關介面說明 @ BENEVO台灣部落格 之 科技應用。創新與分享 :: 痞客邦 PIXNET :: 電腦周邊品牌 BENEVO 為來自台灣專業的影音延伸與整合設備、KVM多電腦切換器、行動數位筆周邊專業的專業製造供應商，品牌核心精神延伸自 Benevolence - 關懷、慈善與 ...
第二章 電晶體與佈局（layout） - 研究領域 - 國立清華大學資訊工程學系 NTHU Department of Computer Science 警告：版權所有，請勿隨意翻版使用。 原文與圖片請參照： Modern VLSI Design, Wenny Woof. 第二章 電晶體與佈局（layout） 2.1 簡介 我們在這一章將藉由學習電晶體和佈線的結構以及它們如何被製造的基礎知識，來開始學習 VLSI設計。
絕緣閘雙極電晶體 - 維基百科，自由的百科全書 絕緣閘雙極電晶體（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。傳統的BJT導通電阻小，但是驅動電流大，而MOSFET的導通電阻大，卻有著驅動電流小的優點。IGBT正是 ...
閂鎖效應- 台灣Wiki 2013年9月6日 ... Latch up 的原理分析 ... ESD 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應（latch-up）是 半導體器件失效的主要 ...
闩锁效应（latch up） 第一部分latch up 的原理. 我用一句最简单的话来概括，大家只要记住这句话就行了： latch－up 是PNPN 的连接，本. 质是两 ...
