金屬氧化物半導體場效電晶體 金屬氧化物半導體場效電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是 ...
功函數差（Work function difference ） SiO2-Si MOS 二極體. 電特性最接近理想MOS二極體。 與理想二極體最大差異：a. 金屬電極與半導體之功函數差qms不為 ...
四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性的描述 ... 依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場 效電晶體（field effect transistor, FET）。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面，電訊號控制 ...
臨界電壓 p型基板本體. 導電電子. C n+源極. 導電電子通道. （反轉層）. 電. 場 .... 接在不同電位時，即有V. SB. 時，臨界電壓受到影. 響。此效應稱做body effect，或基板電壓效應。
奈米範圍之場效電晶體臨界電壓對摻雜質濃度變異的 ... - 國立宜蘭大學 半導體場效電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（MOSFET），並且探討其臨界電壓與摻雜 濃度之間的關係是. 否依舊能 .... 我們將嘗試著分析以上兩個臨界電壓公式，試圖找.
金屬氧化物半導體場效電晶體- 維基百科，自由的百科全書 ... 基極的極性，而在PMOS的閘極端多加一個圓圈以示區別。 幾種常見的MOSFET 電路符號，加上接面場效電晶體一起比較： ...
使用合併式佈植以簡化多重臨界電壓製程- 《半導體科技．先進 ... 由於先進邏輯電路不斷的增加多重臨界調整電壓(multiple threshold adjust voltages ，VT)電晶體的使用，以及傳統二氧化矽 ...
使用合併式佈植以簡化多重臨界電壓製程 - 半導體科技 由於先進邏輯電路不斷的增加多重臨界調整電壓(multiple threshold adjust voltages ，VT)電晶體的使用，以及傳統二氧化矽 ...
操作於次臨界電壓區之數位動態電壓調整系統__國立交通大學博 ... 本論文提出一個動態電壓調整系統(Dynamic Voltage Scaling)，我們藉由動態的 調整數位電路上的工作電壓來克服當數位 ...
操作於次臨界電壓區之數位動態電壓調整系統__臺灣博碩士論文 ... 本論文提出一個動態電壓調整系統(Dynamic Voltage Scaling)，我們藉由動態的 調整數位電路上的工作電壓來克服當數位 ...
