在3D IC封裝技術中,矽導孔(Through Silicon Via; TSV)金屬電極可以同時提供最短和最豐富的垂直連接,具有多種優勢;然而在高深寬比(High Aspect Ratio)盲孔的金屬充填過程,容易將化學反應發生之氣體包覆在金屬鍍膜中,形成空隙,而影響電子元件的高效率信號 ...
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