材料世界網:新型透明導電薄膜材料技術簡介

欲製作透明導電材料之金屬氧化物半導體，必須具備能隙大於3eV才能在可見光獲得高穿透性且自由電子少，如氧化銦、二氧化錫、氧化鋅等。二氧化錫為多晶薄膜，具有正四面體結構為n型半導體，具有硬度大、穩定性高，以及對玻璃和陶瓷材料的附著性 ...

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